中文名 | 碲镉汞晶体 |
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英文名 | Mercury cadmium telluride(MCT)crystal |
英文别名 |
Cadmium mercury telluride (1:1:2)
EINECS 249-914-3 |
分子式 | CdHgTe2 |
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分子量 | 568.201 |
精确质量 | 575.686401 |
储存条件 | 产品应贮存在阴凉、通风、干燥、清洁、无化学药品腐蚀气氛的库房内。 |
稳定性 | Hg1-xCdxTe晶体是HgTe-CdTe赝二元系化合物半导体合金材料,是一种直接跃迁型半导体,具有本征载流子浓度低、电子迁移率高、电子与空穴迁移率比大、光吸收系数大、热激发速率小、电子有效质量小、热膨胀系数与硅接近等特点。其导电类型可由本身组分的偏离来调节,也可用掺杂的办法来控制。其禁带宽度犈g是组分狓和温度犜的函数,通过调节狓和犜可使犈g从半金属HgTe(Eg=-0.3eV)至半导体CdTe(Eg=1.648eV)之间连续变化,从而使其覆盖波长为1~25μm的整个红外区域。Hg1-xCdxTe的静电介电常数为14~17,高频介电常数为10~12.5,且随组分不同而有所差异。 |