silicon nitride

• 常用名: silicon nitride
• 英文名: silicon nitride
• CAS号: 12033-60-2
• 分子量: 42.09220
• 密度: N/A
• 沸点: N/A
• 分子式: NSi
• 熔点: N/A
• 闪点: N/A

silicon nitride用途

1.用作高温陶瓷复合材料和特殊金属的复合材料。比如氮化硅陶瓷基复合材料、玻璃陶瓷基复合材料、碳化硅陶瓷基复合材料、氧化铝陶瓷基复合材料以及铝基复合材料。也可作绝热材料使作。

2.用作高温陶瓷复合材料和特殊金属的复合材料。亦可作绝热材料使用。

silicon nitride名称

• 英文名: silicon nitride

silicon nitride物理化学性质

• 分子式: NSi
• 分子量: 42.09220
• 精确质量: 41.98000
• PSA: 23.79000
• 稳定性:

  具有高强度、高弹性率、低热膨胀系数，耐热性、化学稳定性、电绝缘性优良。

• 计算化学:

  1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无

  2.氢键供体数量:0

  3.氢键受体数量:1

  4.可旋转化学键数量:0

  5.互变异构体数量:无

  6.拓扑分子极性表面积23.8

  7.重原子数量:2

  8.表面电荷:0

  9.复杂度:10

  10.同位素原子数量:0

  11.确定原子立构中心数量:0

  12.不确定原子立构中心数量:0

  13.确定化学键立构中心数量:0

  14.不确定化学键立构中心数量:0

  15.共价键单元数量:1

• 更多:

  一、物性数据

  1. 性状：呈灰白色。

  2. 密度(g/mL,25/4℃）：3.18

  3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：

  4. 熔点（ºC）：1900

  5. 沸点（ºC,常压）：

  6. 沸点（ºC,5.2kPa）：

  7. 折射率：

  8. 闪点（ºC）：

  9. 比旋光度（º）：

  10. 自燃点或引燃温度（ºC）：

  11. 蒸气压（kPa,25ºC）：

  12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：

  13. 燃烧热（KJ/mol）：

  14. 临界温度（ºC）：

  15. 临界压力（KPa）：

  16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：

  17. 爆炸上限（%,V/V）：

  18. 爆炸下限（%,V/V）：

  19. 溶解性：

silicon nitride制备

1.硅直接氮化法。或者将含硅原料和含碳原料混合，将所得混合物50%氯气和氮气气氛中，于1300～1600ºC下加进行反应。再在空气中，在600～800ºC下燃烧除去过剩的碳，得到高纯度的氮化硅晶须。也可以将卤化硅和氨在含有氢气的氮气气氛中，于1300～1400ºC下进行热分解，得到氮化硅晶须。

2.采用前驱体聚合法。1987年美国DOW Corning公司用三氯氢硅和六甲基二硅氮烷合成制得含氢聚氮硅烷的先驱体，经纺丝，再利用三氯硅甲烷不溶化原理，进行纺丝并经热定型，然后再于1200℃的惰性气氛中烧制即可得到高纯α晶型为主的氮化硅纤维。

3.金属硅氮化法。二氧化硅碳热还原法　将高纯度二氧化硅及其他含硅原料和以过渡金属或其他化合物为催化剂的含碳原料进行混合后，将所得混合物在50%H2和N2气氛中，于1300～1600℃下加热进行反应。再在空气中，在600～800℃下燃烧除去过剩的碳，得到高纯度的氮化硅晶须。卤化硅的气相氨分解法　卤化硅和氨在含有氢气的氮气气氛中，在1300～1600℃下进行热分解，得到氮化硅晶须。以硅藻土为原料，先将原料置于1000～1200℃下进行烧结，然后放入碳质容器，在焙烧炉中，于1000～1450℃的氮氨气氛中加热24h，在容器外壁生长出直径0.1～2μｍ，长度大于10mm的晶须。

silicon nitride英文别名

• EINECS 234-787-9