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硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)

更新时间:2024-01-03 11:27:25

硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)结构式
硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)结构式
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常用名 硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物) 英文名 SILICON(IV) PHTHALOCYANINE BIS(TRIHEXYL&
CAS号 92396-89-9 分子量 1139.78000
密度 N/A 沸点 N/A
分子式 C68H94N8O2Si3 熔点 175-177ºC
MSDS N/A 闪点 N/A

 硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)名称

中文名 硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)
英文名 Silicon(IV) phthalocyanine bis(trihexylsilyloxide)
英文别名 更多

 硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)物理化学性质

熔点 175-177ºC
分子式 C68H94N8O2Si3
分子量 1139.78000
精确质量 1138.68000
PSA 102.48000
LogP 15.39100
储存条件

放入紧密的贮藏器内,储存在阴凉,干燥的地方

稳定性

避免接触强氧化剂

计算化学

1.疏水参数计算参考值(XlogP):无

2.氢键供体数量:0

3.氢键受体数量:4

4.可旋转化学键数量:34

5.互变异构体数量:无

6.拓扑分子极性表面积101

7.重原子数量:81

8.表面电荷:0

9.复杂度:1890

10.同位素原子数量:0

11.确定原子立构中心数量:0

12.不确定原子立构中心数量:0

13.确定化学键立构中心数量:0

14.不确定化学键立构中心数量:0

15.共价键单元数量:1

更多

1. 性状:未确定

2. 密度(g/mL 25ºC):未确定

3. 相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定

4. 熔点(ºC常压):175-177

5. 沸点(ºC):未确定

6. 沸点(ºC,5.2kPa):未确定

7. 折射率(n20/D):未确定

8. 闪点(ºC,):未确定

9. 比旋光度(º):未确定

10. 自燃点或引燃温度(ºC):未确定

11. 蒸气压(kPa,25ºC):未确定

12. 饱和蒸气压(kPa,60ºC):未确定

13. 燃烧热(KJ/mol):未确定

14. 临界温度(ºC):未确定

15. 临界压力(KPa):未确定

16. 油水(辛醇/水)分配系数的对数值(25℃):未确定

17. 爆炸上限(%,V/V):未确定

18. 爆炸下限(%,V/V):未确定

19. 溶解性(mg/mL) :未确定

 硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)合成线路

~94%

硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)结构式

硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)

92396-89-9

文献:BASF SE Patent: US2010/113767 A1, 2010 ; Location in patent: Page/Page column 11 ;

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详细
文献:BASF SE Patent: US2010/113767 A1, 2010 ; Location in patent: Page/Page column 12 ;

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详细
文献:BASF SE Patent: US2010/113767 A1, 2010 ; Location in patent: Page/Page column 13 ;

~54%

硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)结构式

硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)

92396-89-9

文献:BASF SE Patent: US2010/113767 A1, 2010 ; Location in patent: Page/Page column 10-11 ;

 硅(IV)酞菁二(三己基甲硅烷基氧化物)英文别名

Dinitride disilicon oxide
silicon oxynitrile
MFCD00209612
Silicon oxynitride
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