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磷化镓

磷化镓用途

用于太阳能电池转换率高的InGaAsP/InP等半导体中。发光二极管大量用于控制灯、显示仪表或面发光元件等，发光二极管所用磷化物半导体有GaP、GaAsP等。红色发光二极管使用GaP或GaAsP等。黄、橙色发光二极管以GaAsP为主体。

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磷化镓名称

[ CAS 号 ]:
12063-98-8

[ 中文名 ]:
磷化镓

[ 英文名 ]:
gallium phosphide

[英文别名 ]:

Gallium monophosphide
EINECS 235-057-2
MFCD00016109
Gallium phosphide

磷化镓物理化学性质

[ 密度 ]:
4.13 g/mL at 25 °C

[ 熔点 ]:
1480ºC

[ 分子式 ]:
GaH₄P

[ 分子量 ]:
104.72900

[ 闪点 ]:
230 °F

[ 精确质量 ]:
103.93100

[ LogP ]:
0.17000

[ 折射率 ]:
2.9

[ 储存条件 ]:
库房通风低温干燥

磷化镓MSDS

详细MSDS(安全技术说明书)

磷化镓毒性和生态

CHEMICAL IDENTIFICATION

RTECS NUMBER :: LW9675000

CHEMICAL NAME :: Gallium phosphide

CAS REGISTRY NUMBER :: 12063-98-8

LAST UPDATED :: 199701

DATA ITEMS CITED :: 3

MOLECULAR FORMULA :: Ga-P

HEALTH HAZARD DATA

ACUTE TOXICITY DATA

TYPE OF TEST :: LD50 - Lethal dose, 50 percent kill

ROUTE OF EXPOSURE :: Oral

SPECIES OBSERVED :: Rodent - mouse

DOSE/DURATION :: 8 gm/kg

TOXIC EFFECTS :: Peripheral Nerve and Sensation - flaccid paralysis without anesthesia (usually neuromuscular blockage) Behavioral - somnolence (general depressed activity) Behavioral - food intake (animal)

REFERENCE :: GISAAA Gigiena i Sanitariya. For English translation, see HYSAAV. (V/O Mezhdunarodnaya Kniga, 113095 Moscow, USSR) V.1- 1936- Volume(issue)/page/year: 45(10),13,1980 *** NIOSH STANDARDS DEVELOPMENT AND SURVEILLANCE DATA *** NIOSH OCCUPATIONAL EXPOSURE SURVEY DATA : NOHS - National Occupational Hazard Survey (1974) NOHS Hazard Code - 82941 No. of Facilities: 22 (estimated) No. of Industries: 2 No. of Occupations: 3 No. of Employees: 464 (estimated)

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磷化镓安全信息

[ 符号 ]:

GHS07

[ 信号词 ]:
Warning

[ 危害声明 ]:
H319-H335

[ 警示性声明 ]:
P261-P305 + P351 + P338

[ 个人防护装备 ]:
dust mask type N95 (US);Eyeshields;Gloves

[ 危害码 (欧洲) ]:
Xi: Irritant;

[ 风险声明 (欧洲) ]:
R36/37

[ 安全声明 (欧洲) ]:
26

[ 危险品运输编码 ]:
UN 3288

[ WGK德国 ]:
2

[ RTECS号 ]:
LW9675000

磷化镓制备

目前主要用高压单晶炉液体密封技术和外延方法制备磷化镓晶体。图XIII-19 用溶质扩散法制造GaP的装置与温度分布
液体密封直拉法采用高压单晶炉，将多晶磷化镓加入单晶炉的合金石英坩埚中，再经抽真空、熔化，在充以5.5 Mpa氩气压下，用三氧化二硼液封拉晶。因磷化镓分解压力很大，在典型生长条件下，有一定量的磷溢出并与三氧化二硼作用，使三氧化二硼透明性变差，并有部分冷凝在观察孔上妨碍观察，为此可用X射线扫描及称量法等来控制晶体直径，制得磷化镓单晶成品。
合成溶质扩散法(SSD法) 将镓放入石英坩埚中，镓源温度在1100～1150℃之间，坩埚底部放磷化镓籽晶处温度为1000～1050℃，磷源温度为420℃，这时产生约0.1 Mpa磷蒸气压，在1150℃磷化镓的离解压为0.67Pa，所以在0.1 Mpa磷蒸气压下，磷化镓可以稳定生长。开始时，磷蒸气与处在高温的镓表面反应生成磷化镓膜。此磷化镓溶于下面的镓液中并向坩埚底部扩散，由于坩埚底部温度较低，当磷化镓超过溶解度时，就会析出晶体，如磷源足够，最后会将镓液全部变成磷化镓晶体。
磷化镓外延生长用上述方法制备的单晶主要用来作衬底。用液、气相外延方法能用来制备薄膜单晶。
磷化镓液相外延方法主要有浸渍法、转动法和滑动舟法。目前采用较多的是滑动舟法。气相外延主要有：Ga-PCI3-H2；GaHCl-PH3-H2；GaP-H2O(HCl)-H2系统和MOCVD法(金属有机热分解气相生长法)。
最近采用InP与InP；aAsP多层结构半导体开发了具有光增幅、光演算、光记忆等功能的元件。 2.按图所示，将镓和磷在真空中封入管图用溶质扩散法制造GaP的装置与温度分布内，在镓上形成温度梯度。镓的上面温度TH为1065～1330℃，温度梯度为7～46K/cm。坩埚底部温度(TL)低于TH，当磷蒸气压为101.325kPa时，加热数日，则GaP在Ga中扩散，于器底析出，全部为结晶块。这时，GaP的成长速度1日为0.8～7.0mm。上述是封闭管法，在连续操作系统中，也有类似的制块方法。 3.用氩气流向保持在1150～1350℃的镓上输送气态磷，或用氢气流向保持在1130℃的氮化硼盘或石英盘中的镓上输送磷化氢都可以制得GaP。而后面的反应系统(1130℃)，由于可以高精度地除去各种杂质，所以可得到高纯度的GaP。 4.用氢气向保持在1000℃的Ga2O3上输送磷蒸气，可制得产率接近100%的GaP。 5.将GaPO4在750～1050℃用氢或一氧化碳还原制取。

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磷化镓文献

Resonance enhanced large third order nonlinear optical response in slow light GaInP photonic-crystal waveguides.

Opt. Express 18(6) , 5746-53, (2010)

We report a large nonlinear response in a 1.3mm long GaInP photonic crystal waveguide. The wide band gap of GaInP (1.9 eV) ensures that no two photon absorption takes place for photons at 1.55mm impro...

Analysis of the systemic effect of red and infrared laser therapy on wound repair.

Photomed. Laser Surg. 27(6) , 929-35, (2009)

To evaluate, using histological analysis, the systemic action and repair process of wounds produced on the back of rats and treated with red, infrared, or both lasers applied directly or indirectly to...

Nanoscale phase dynamics of the normal tear film.

Nanomedicine: Nanotechnology, Biology, and Medicine 6(6) , 707-13, (2010)

The tear film is a dynamic multilayered structure. The interactions and the interfacial dynamics between the layers that occur during a blink cycle must be such that they allow for maintenance of a st...

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