非晶硅薄膜

非晶硅薄膜用途

用于制造α-Si太阳电池、光接仪器、光导摄像管、空间光调制器、光传感器、场效应器件。

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非晶硅薄膜名称

[ CAS 号 ]:
12597-37-4

[ 中文名 ]:
非晶硅薄膜

[ 英文名 ]:
trisilirane

[英文别名 ]:

Cyclotrisilane
Trisilirane

非晶硅薄膜物理化学性质

[ 分子式 ]:
H₆Si₃

[ 分子量 ]:
90.304

[ 精确质量 ]:
89.977730

非晶硅薄膜制备

1.非晶硅太阳电池的制备方法很多，最常见的是辉光放电法［即等离子体增强化学气相沉积法（PECVD法），因为PECVD法中等离子状态大多属于低压辉光放电，故又称为辉光放电法（GD法）］，此外还有反应溅射法（SP法）、低压化学气相沉积法（LPCVD法）、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。利用辉光放电制取非晶硅薄膜的尝试早在1969年奇蒂克等人就已实现，但对此种半导体硅材料进行掺杂，则是在1975年以后才突破的。美国于1976年采用此种方法制成非晶硅太阳电池。PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。其简单过程是：将一个石英容器抽成真空，充入氢气或氮气稀释的硅烷。射频电源用电容或电感耦合方式加在反应器外侧的电极上，使硅烷电离，产生化学上非常活泼的激发态分子、离子，促进化学反应，非晶硅膜就沉积在温度为200～300℃的衬底表面上形成薄膜。若硅烷中混入适当比例的PH5或B2H6，即可得到N型或P型的非晶硅膜。作为衬底材料，可用不锈钢或玻璃等。这种制备非晶硅膜的工艺，在很大程度上取决于气压、衬底温度、气体流速和射频功率等许多方面，控制条件十分严格。