氧化铟结构式
|
常用名 | 氧化铟 | 英文名 | Indium Oxide |
---|---|---|---|---|
CAS号 | 1312-43-2 | 分子量 | 277.634 | |
密度 | 7.18 | 沸点 | 850ºC | |
分子式 | In2O3 | 熔点 | 2000ºC | |
MSDS | 中文版 美版 | 闪点 | N/A |
氧化铟用途【用途一】 用作光谱纯试剂和电子元件的材料等 【用途二】
主要用于作电池原材料 ,荧光屏,玻璃,陶瓷,化学试剂等。 更多
|
中文名 | 氧化铟/纳米氧化铟 |
---|---|
英文名 | Indium Oxide |
中文别名 | 氧化铟(III) | 纳米氧化铟 | 三氧化二铟 | 氧化铟 |
英文别名 | 更多 |
密度 | 7.18 |
---|---|
沸点 | 850ºC |
熔点 | 2000ºC |
分子式 | In2O3 |
分子量 | 277.634 |
精确质量 | 277.792511 |
PSA | 43.37000 |
外观性状 | 白色至淡黄色粉末 |
蒸汽压 | <0.01 mm Hg ( 25 °C) |
储存条件 | 保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方,确保工作间有良好的通风或排气装置 |
稳定性 | 在氢气或其他还原剂存在下,加热至400~500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。 在高温下分解为低级氧化物。另外,在高温下可与金属铟发生如下反应: 1/3 In2O3+4/3 InIn2O 低温灼烧生成的In2O3虽易溶于酸,但经过高温处理得越完全就越难溶,吸湿性也消失了。三氧化二铟在赤热状态下用氢气还原时,则生成金属铟。 |
分子结构 | 1、摩尔折射率:无可用的 2、摩尔体积(cm3/mol):无可用的 3、等张比容(90.2K):无可用的 4、表面张力(dyne/cm):无可用的 5、介电常数:无可用的 6、极化率(10-24cm3):无可用的 7、单一同位素质量:277.7925 Da 8、标称质量:278 Da 9、平均质量:277.6342 Da |
计算化学 | 1.疏水参数计算参考值(XlogP):无 2.氢键供体数量:0 3.氢键受体数量:3 4.可旋转化学键数量:0 5.互变异构体数量:无 6.拓扑分子极性表面积3 7.重原子数量:5 8.表面电荷:0 9.复杂度:0 10.同位素原子数量:0 11.确定原子立构中心数量:0 12.不确定原子立构中心数量:0 13.确定化学键立构中心数量:0 14.不确定化学键立构中心数量:0 15.共价键单元数量:5 |
更多 | 1.性状:白色或淡黄色无定型粉末,加热转变为红褐色。 2.密度(g/mL,25℃):7.179 3.熔点(ºC):2000 4. 蒸气压(mmHg,25ºC):<0.01 5. 溶解性:不溶于水,溶于热的无机酸 |
|
氧化铟毒理学数据: 急性毒性:大鼠口经LD:>10gm/kg;小鼠引入腹膜LDLo:5gm/kg;小鼠口经LDLo:10gm/kg 氧化铟生态学数据: 通常来说对水是无害的,若无政府许可,勿将材料排入周围环境。 |
个人防护装备 | dust mask type N95 (US);Eyeshields;Gloves |
---|---|
危害码 (欧洲) | Xi: Irritant; |
风险声明 (欧洲) | R36/37/38 |
安全声明 (欧洲) | 26-36 |
危险品运输编码 | UN1993 |
WGK德国 | 3 |
RTECS号 | NL1770000 |
包装等级 | II |
1.将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成In2O、InO、In2O3,精细控制还原条件可制得高纯In2O3。也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。
3.将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时,温度过高的话,In2O3有热分解的可能性,若温度过低则难以完全脱水,而且生成的氧化物具有吸湿性,因此,加热温度和时间是重要的因素。另外,因为In2O3容易被还原,所以必须经常保持在氧化气氛中。
3.将氢氧化铟在空气中,于850℃灼烧至恒重,生成In2O3,再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。
Sensing behavior of YSZ-based amperometric NO₂ sensors consisting of Mn-based reference-electrode and In₂O₃ sensing-electrode.
Talanta 88 , 318-23, (2012) Yttria-stabilized zirconia (YSZ)-based amperometric NO(2) sensors comprised of an In(2)O(3) sensing-electrode (SE), a Pt counter-electrode (CE) and a Mn(2)O(3) reference-electrode (RE) in both tubular... |
|
Efficient photocatalytic hydrogen production by platinum-loaded carbon-doped cadmium indate nanoparticles.
ACS Appl. Mater. Interfaces 4(5) , 2426-31, (2012) Undoped and carbon doped cadmium indate (CdIn(2)O(4)) powders were synthesized using a sol-gel pyrolysis method and evaluated for hydrogen generation activity under UV-visible irradiation without the ... |
|
Negative gate bias and light illumination-induced hump in amorphous InGaZnO thin film transistor.
J. Nanosci. Nanotechnol. 13(11) , 7535-9, (2013) While observing the transfer characteristics of a-IGZO TFTs, it was noticed that a hump occurred in the subthreshold regime after light and bias stress. This study analyzes the mechanism of the hump o... |
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide |
Indium(III) oxide |
MFCD00011060 |
EINECS 215-193-9 |
Diindium trioxide,Indium sesquioxide |
Diindium trioxide Indium sesquioxide |
Indium oxide |