7440-21-3

• 常用中文名：硅
• 常用英文名：Silicon
• CAS号：7440-21-3
• 分子式：Si
• 分子量：28.09000
• 相关类别： 无机化工 单质
• 发布时间：2018-02-08 08:00:00
• 更新时间：2026-07-02 14:39:48
• 1.高纯的单晶硅是重要的半导体材料。金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。光导纤维通信，最新的现代通信手段。性能优异的硅有机化合物。硅是一种半导体材料，可用于制作半导体器件和集成电路。还可以合金的形式使用(如硅铁合金)，用于汽车和机械配件。也与陶瓷材料一起用于金属陶瓷中。还可用于制造玻璃、混凝土、砖、耐火材料、硅氧烷、硅烷。制造硅烷和硅酮。制造硅有机化合物、合金、耐火材料等。
  2.主要用于半导体、合金、有机硅高分子材料。高纯的单晶硅是重要的半导体材料。用作二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路材料。在开发能源方面也是一种很有前途的材料，可以制造太阳能电池等。将陶瓷和金属混合烧结，制成金属陶瓷复合材料，耐高温，富韧性，可以切割，集合了金属和陶瓷的优点，是金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。用纯二氧化硅制得的高透明度的玻璃纤维，光纤通信容量高，且不受电、磁干扰，并具有高度的保密性，可用于光导纤维通信。硅有机化合物可作为塑料、涂料等，得到了广泛应用。
  3.用于制造合金、有机硅化合物和四氯化硅等，是一种极重要的半导体材料。

名称

• 中文名: 单质硅
• 英文名: silicon atom
• 中文别名: 硅棒, 2.5CM (0.98IN) DIA; 硅粉(球形); 硅粉, 晶体, APS ≤50NM 等离子合成; 硅板, 9.5MM (0.37IN)厚; 硅棒, 0.828CM (0.326IN) DIA; 硅溅射靶,50.8MM(2.0IN)DIAX3.18MM(0.125IN)THICK,(METALSBASIS); 硅粉, NODUL, APS MICRON; 硅溅射靶, 50.8MM (2.0IN) 直径 X 3.18MM (0.125IN) 厚; 硅单晶; 硅棒, POLYCRYSTALLINE, UNPOLISHED, 1.6CM (0.6IN) DIA, 99.9; 硅晶体粉; 硅粉,CRYSTALLINE/AMORPHOUS,TYPICALLY1-20MICRON,(METALSBASIS); 硅溅射靶,50.8MM(2.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,(METALSBASIS); 硅光学窗, 50.8MM (2.0IN) DIA X 1MM (0.04IN) THICK; 硅棒, 5.08CM (2.0IN) DIA; 硅粉,晶体, APS ≈100NM 等离子合成; 硅测定用标准溶液; 硅粉, 晶体; 硅同位素标准物质; 硅光学窗, 50.8MM (2.0IN) DIA X 2MM (0.08IN) THICK; 硅片; 硅光学窗, 25.4MM (1.0IN) DIA X 1MM (0.04IN) THICK; 硅粉,CRYSTALLINE,APS0.MICRON; 硅颗粒危险品; 硅棒, 5.08CM (2.0IN) 直径; 硅粉[非晶形的]; 硅溅射靶, 50.8MM (2.0IN) 直径 X 6.35MM (0.250IN) 厚; 高纯硅颗粒,MM; 硅块, CM (IN); 硅粉, -325目; 硅粉, CRYSTALLINE, APS MICRON; 硅微粉 600目; 硅SILICON-28; 硅SILICON-29; 硅光学窗, 25.4MM (1.0IN) DIA X 2MM (0.08IN) THICK; 硅粉/硅标准溶液; 硅粉, 晶体, -200目; 硅溅射靶, 76.2MM (3.0IN) 直径 X 6.35MM (0.250IN) 厚; 硅粉, APS 微米; 纳米硅; 硅溅射靶, 76.2MM (3.0IN) DIA X 6.35MM (0.250IN) THICK, 99; 硅SILICON-30; 硅粉,METALSBASIS,目; 硅溅射靶, 76.2MM (3.0IN) 直径 X 3.18MM (0.125IN) 厚; 硅棒, 多晶, 未抛光, 1.6CM (0.6IN) 直径; 硅柱, 9.5MM (0.375IN) DIA X 9.5MM (0.375IN) LENGTH, 99; 硅靶; 硅棒, 0.828CM (0.326IN) 直径; 硅棒,POLYCRYSTALLINE,UNPOLISHED,1.6CM(0.6IN)DIA,(METALSBASIS); 硅溅射靶, 76.2MM (3.0IN) DIA X 3.18MM (0.125IN) THICK, 99; 硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX3.18MM(0.125IN)THICK,(METALSBASIS); 硅粉; 硅粉, CRYSTALLINE/AMORPHOUS, TYPICALLY MICRON, 99; 硅微粉; 硅块, 15CM (5.9IN) & DOWN; 硅溅射靶,76.2MM(3.0IN)DIAX6.35MM(0.250IN)THICK,(METALSBASIS); 硅光学窗, 50.8MM (2.0IN) 直径 X 1MM (0.04IN) 厚; 硅片, 12.5MM (0.5IN) THICK; 硅片, <100MM 或更小, HIGH PURITY (WILL INCLUDE FINES)
• 英文别名: Silicon, powder; SILICON RANDOM PIECES: , 2N5, CM; Silicon in B100; SILICON WAFER, DOPED (N-TYPE) &; SILICON POWDER , 2N; porous silicon; silicium; silicon powder; SILICON AA/ICALIBRATION/CHECK STANDD; SILICON STANDD SOLUTION; SILICON,LUMP; SILICON STANDD; SILICON ATOMIC SPECTROSCOPY STANDD; HIGH VACCUM EASE(SILICON EASE); SILICON METALLO-ORGANIC STANDD; polyeristallinesiliconpowder; SILICON ISTANDD; SILICON, OIL BASED STANDD SOLUTION; SILICON PLASMA EMISSION SPECTROSCOPY STANDD; defoamers-10; Defoamer S-10; SILICON AA STANDD; SILICON WAFER > ORIENTATION P-DOPED - 76MM; SILICON, PLASMA STANDD SOLUTION; SILICON ATOMIC ABSORPTION STANDD SOLUTION; SILICON; SILICON AA SINGLE ELEMENT STANDD; Silicon(Metal)Powder; SILICON, AAS STANDD SOLUTION; SILICON WAFER > ORIENTATION, 76MM WAFER; SILICON METAL POWDER; siliconpowder,amorphous; Siliconpolycrystalinediscandsputteringtgetsavailablealso; silicon,powder; Siliconpowder; SILICON WAFER > ORIENTATION N-DOPED, 76MM; SIMP AX05; SILICON METAL; SILICON PLASMA EMISSION STANDD; SiliziumMetall; SIMP AX10 SILICON METAL POWDER ADE AX 10 - A PRODUCT OF H.C. STCK; Silicon in B5; SIMP AX10; MFCD00085311; SILICON ATOMIC ABSORPTION SINGLE ELEMENT STANDD; Silica powder; Silicon in B20; EINECS 231-130-8; Silicon 6N; SILICON SINGLE ELEMENT STANDD; Silicon, powder, -325 mesh; SILICON WAFER > ORIENTATION UNDOPED, 76MM; SIMP AX20 SILICON METAL POWDER ADE AX 20 - A PRODUCT OF H.C. STCK; SILICON I/DSTANDD; SIMP AX20; SILICON ATOMIC ABSORPTION STANDD; SILICON SINGLE ELEMENT PLASMA STANDD; elementalsilicon; Silicon, powder, powder, -60 mesh; SILICON CHIPS: , 6N

物化性质

• 密度: 2.33
• 沸点: 2355ºC
• 熔点: 1410ºC
• 分子式: Si
• 分子量: 28.09000
• 精确质量: 27.98000
• 外观性状: 银色-灰色固体
• 储存条件:

  储存注意事项储存于阴凉、干燥、通风良好的库房。库温不宜超过35℃。远离火种、热源。包装要求密封，不可与空气接触。应与氧化剂等分开存放，切忌混储。采用防爆型照明、通风设施。禁止使用易产生火花的机械设备和工具。储区应备有合适的材料收容泄漏物。

• 稳定性:

  1.晶体硅属于原子晶体，硬而有光泽，是典型的半导体。在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应，不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。在高温下能与氧气等多种元素化合。具有硬度高、不吸水、耐热、耐酸、耐磨和耐老化等特点。硅在自然界分布极广，地壳中约含27.6％，主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。

  2.生产设备要密闭，车间通风应良好。生产人员工作时要佩戴防毒口罩，密闭眼镜，穿工作服等劳动保护用品，以防止呼吸器官、眼睛和皮肤接触。中毒者应立即转移到新鲜空气中进行人工呼吸、输氧，注射葡萄糖及强心剂，并迅速送医院治疗。

  3.硅粉与钙、碳化铯、氯、氟化钴、氟、三氟化碘、三氟化锰、碳化铷、氟化银、钾钠合金剧烈反应。粉尘遇火焰或与氧化剂接触发生反应，有中等程度的危险性。

  4.稳定性 稳定

  5.禁配物 强氧化剂、水蒸气

  6.避免接触的条件 潮湿空气

  7.聚合危害 不聚合

• 水溶解性: INSOLUBLE
• 分子结构:

  1、摩尔折射率：无可用的

  2、摩尔体积（cm³/mol）：无可用的

  3、等张比容（90.2K）：无可用的

  4、表面张力（dyne/cm）：无可用的

  5、介电常数：无可用的

  6、极化率：无可用的

  7、单一同位素质量：27.974732 Da

  8、标称质量：28 Da

  9、平均质量：28.0833 Da

• 计算化学:

  1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无

  2.氢键供体数量:0

  3.氢键受体数量:0

  4.可旋转化学键数量:0

  5.互变异构体数量:无

  6.拓扑分子极性表面积0

  7.重原子数量:1

  8.表面电荷:0

  9.复杂度:0

  10.同位素原子数量:0

  11.确定原子立构中心数量:0

  12.不确定原子立构中心数量:0

  13.确定化学键立构中心数量:0

  14.不确定化学键立构中心数量:0

  15.共价键单元数量:1

• 更多:

  1.性状：黑褐色无定形非金属粉末。

  2.熔点（℃）：1410

  3.沸点（℃）：2355

  4.相对密度（水=1）：2.30（20℃）

  5.饱和蒸气压（kPa）：0.13（1724℃）

  6.临界压力（MPa）：53.6

  7.溶解性：不溶于水，不溶于盐酸、硝酸，溶于氢氟酸、碱液。

MSDS

第一部分：化学品名称 化学品中文名称: 硅 ( 粉 ) 化学品英文名称: silicon 中文名称 2: 无定形硅粉 技术说明书编码: 1012 CAS No.: 7440-21-3 分子式: Si 分子量: 28.09 第二部分：成分 / 组成信息 有害物成分: 硅 ( 粉 ) 含量: ≥97.0 ％ CAS No.: 7440-21-3 第三部分：危险性概述 健康危害: 本品对人体无毒。高浓度吸入引起呼吸道轻度刺激，进入眼内作为异物有刺激性。 燃爆危险: 本品易燃。 第四部分：急救措施 皮肤接触: 脱去污染的衣着，用流动清水冲洗。 眼睛接触: 提起眼睑，用流动清水或生理盐水冲洗。就医。 吸入: 迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难，给输氧。如呼吸停止，立即进行人工呼吸。就医。 食入: 饮足量温水，催吐。就医。 第五部分：消防措施 危险特性: 与钙、碳化铯、氯、氟化钴、氟、三氟化碘、三氟化锰、碳化铷、氟化银、钾钠合金剧烈反应。粉尘遇火焰或与氧化剂接触发生反应，有中等程度的危险性。 有害燃烧产物: 氧化硅。 灭火方法: 采用干粉、干砂灭火。禁止用水。禁止用二氧化碳。 第六部分：泄漏应急处理 应急处理: 隔离泄漏污染区，限制出入。切断火源。建议应急处理人员戴防尘面具（全面罩），穿一般作业工作服。小量泄漏：避免扬尘，用洁净的铲子收集于干燥、洁净、有盖的容器中。大量泄漏：用水润湿，然后转移回收。 第七部分：操作处置与储存 操作注意事项: 密闭操作，局部排风。操作人员必须经过专门培训，严格遵守操作规程。远离火种、热源，工作场所严禁吸烟。使用防爆型的通风系统和设备。避免产生粉尘。避免与氧化剂接触。搬运时要轻装轻卸，防止包装及容器损坏。配备相应品种和数量的消防器材及泄漏应急处理设备。倒空的容器可能残留有害物。 储存注意事项: 储存于阴凉、干燥、通风良好的库房。远离火种、热源。包装要求密封，不可与空气接触。应与氧化剂等分开存放，切忌混储。采用防爆型照明、通风设施。禁止使用易产生火花的机械设备和工具。储区应备有合适的材料收容泄漏物。 第八部分：接触控制 / 个体防护 中国 MAC(mg/m3): 未制定标准 前苏联 MAC(mg/m3): 未制定标准 TLVTN: ACGIH 10mg/m3 TLVWN: 未制定标准 工程控制: 密闭操作，局部排风。 呼吸系统防护: 一般不需要特殊防护，但建议特殊情况下，佩戴自吸过滤式防尘口罩。 眼睛防护: 一般不需要特殊防护，高浓度接触时可戴化学安全防护眼镜。 身体防护: 穿一般作业防护服。 手防护: 戴一般作业防护手套。 其他防护: 工作服、帽等要定期清洗。工作完毕，淋浴更衣。保持良好的卫生习惯。 第九部分：理化特性 主要成分: 含量 : 工业级 ≥97.0 ％。 外观与性状: 黑褐色无定形非金属粉末或硬而有光泽的晶体。 熔点 ( ℃ ): 1410 沸点 ( ℃ ): 2355 相对密度 ( 水 =1): 2.30(20℃ ) 相对蒸气密度 ( 空气 =1): 无资料 饱和蒸气压 (kPa): 0.13(1724℃ ) 燃烧热 (kJ/mol): 无资料 临界温度 ( ℃ ): 无意义 临界压力 (MPa): 无意义 辛醇 / 水分配系数的对数值: 无资料 闪点 ( ℃ ): 无意义 引燃温度 ( ℃ ): 无资料 爆炸上限 %(V/V): 无资料 爆炸下限 %(V/V): 无资料 溶解性: 不溶于水，不溶于盐酸、硝酸，溶于氢氟酸、碱液。 主要用途: 用于制造合金、有机硅化合物和四氯化硅等 , 是一种极重要的半导体材料。 第十部分：稳定性和反应活性 禁配物: 强氧化剂、潮湿空气。 避免接触的条件: 潮湿空气。 第十一部分：毒理学资料 急性毒性: LD50 ： 3160 mg/kg( 大鼠经口 ); LC50 ：无资料 第十二部分：生态学资料 其它有害作用: 无资料。 第十三部分：废弃处置 废弃处置方法: 处置前应参阅国家和地方有关法规。若可能，回收使用。或用安全掩埋法处置。 第十四部分：运输信息 危险货物编号: 41510 UN 编号: 1346 包装类别: O53 包装方法: 螺纹口玻璃瓶、铁盖压口玻璃瓶、塑料瓶或金属桶（罐）外普通木箱；螺纹口玻璃瓶、塑料瓶或镀锡薄钢板桶（罐）外满底板花格箱、纤维板箱或胶合板箱。 运输注意事项: 运输时运输车辆应配备相应品种和数量的消防器材及泄漏应急处理设备。装运本品的车辆排气管须有阻火装置。运输过程中要确保容器不泄漏、不倒塌、不坠落、不损坏。严禁与氧化剂等混装混运。运输途中应防曝晒、雨淋，防高温。中途停留时应远离火种、热源。车辆运输完毕应进, 行彻底清扫。铁路运输时要禁止溜放。 第十五部分：法规信息 法规信息: 化学危险物品安全管理条例 (1987 年 2 月 17 日国务院发布 ) ，化学危险物品安全管理条例实施细则 ( 化劳发 [1992] 677 号 ) ，工作场所安全使用化学品规定 ([1996] 劳部发 423 号 ) 等法规，针对化学危险品的安全使用、生产、储存、运输、装卸等方面均作了相应规定；常用危险化学品的分类及标志 (GB 13690-92) 将该物质划为第 4.1 类易燃固体。

毒性和生态

毒理学数据: 1.急性毒性 LD50：3160mg/kg（大鼠经口） 2.刺激性 暂无资料 生态学数据: 1.生态毒性 暂无资料 2.生物降解性 暂无资料 3.非生物降解性 暂无资料 CHEMICAL IDENTIFICATION RTECS NUMBER : VW0400000 CHEMICAL NAME : Silicon CAS REGISTRY NUMBER : 7440-21-3 LAST UPDATED : 199712 DATA ITEMS CITED : 31 MOLECULAR FORMULA : Si MOLECULAR WEIGHT : 28.09 HEALTH HAZARD DATA ACUTE TOXICITY DATA TYPE OF TEST : Standard Draize test ROUTE OF EXPOSURE : Administration into the eye SPECIES OBSERVED : Rodent - rabbit REFERENCE : FAONAU FAO Nutrition Meetings Report Series. (Rome, Italy) No.?-57, 1948-77. Discontinued. Volume(issue)/page/year: 53A,21,1974 ** ACUTE TOXICITY DATA ** TYPE OF TEST : LD50 - Lethal dose, 50 percent kill ROUTE OF EXPOSURE : Oral SPECIES OBSERVED : Rodent - rat DOSE/DURATION : 3160 mg/kg TOXIC EFFECTS : Details of toxic effects not reported other than lethal dose value REFERENCE : FAONAU FAO Nutrition Meetings Report Series. (Rome, Italy) No.?-57, 1948-77. Discontinued. Volume(issue)/page/year: 53A,21,1974 TYPE OF TEST : LDLo - Lowest published lethal dose ROUTE OF EXPOSURE : Intraperitoneal SPECIES OBSERVED : Rodent - rat DOSE/DURATION : 500 mg/kg REFERENCE : NTIS** National Technical Information Service. (Springfield, VA 22161) Formerly U.S. Clearinghouse for Scientific & Technical Information. Volume(issue)/page/year: OTS0536164 *** REVIEWS *** ACGIH TLV-TWA 10 mg/m3 DTLVS* The Threshold Limit Values (TLVs) and Biological Exposure Indices (BEIs) booklet issues by American Conference of Governmental Industrial Hygienists (ACGIH), Cincinnati, OH, 1996 Volume(issue)/page/year: TLV/BEI,1997 *** U.S. STANDARDS AND REGULATIONS *** MSHA STANDARD-air:TWA 10 mg/m3 DTLWS* "Documentation of the Threshold Limit Values for Substances in Workroom Air," Supplements. For publisher information, see 85INA8. Volume(issue)/page/year: 3,27,1973 OSHA PEL (Gen Indu):8H TWA 15 mg/m3, total dust CFRGBR Code of Federal Regulations. (U.S. Government Printing Office, Supt. of Documents, Washington, DC 20402) Volume(issue)/page/year: 29,1910.1000,1994 OSHA PEL (Gen Indu):8H TWA 5 mg/m3, respirable fraction CFRGBR Code of Federal Regulations. (U.S. Government Printing Office, Supt. of Documents, Washington, DC 20402) Volume(issue)/page/year: 29,1910.1000,1994 OSHA PEL (Construc):8H TWA 15 mg/m3, total dust CFRGBR Code of Federal Regulations. (U.S. Government Printing Office, Supt. of Documents, Washington, DC 20402) Volume(issue)/page/year: 29,1926.55,1994 OSHA PEL (Construc):8H TWA 5 mg/m3, respirable fraction CFRGBR Code of Federal Regulations. (U.S. Government Printing Office, Supt. of Documents, Washington, DC 20402) Volume(issue)/page/year: 29,1926.55,1994 OSHA PEL (Shipyard):8H TWA 15 mg/m3, total dust CFRGBR Code of Federal Regulations. (U.S. Government Printing Office, Supt. of Documents, Washington, DC 20402) Volume(issue)/page/year: 29,1915.1000,1993 OSHA PEL (Shipyard):8H TWA 5 mg/m3, respirable fraction CFRGBR Code of Federal Regulations. (U.S. Government Printing Office, Supt. of Documents, Washington, DC 20402) Volume(issue)/page/year: 29,1915.1000,1993 *** OCCUPATIONAL EXPOSURE LIMITS *** OEL-AUSTRALIA:TWA 10 mg/m3 JAN 1993 OEL-BELGIUM:TWA 10 mg/m3 JAN 1993 OEL-DENMARK:TWA 10 mg/m3 JAN 1993 OEL-FRANCE:TWA 10 mg/m3 JAN 1993 OEL-THE NETHERLANDS:TWA 10 mg/m3 JAN 1993 OEL-SWITZERLAND:TWA 4 mg/m3 JAN 1993 OEL-UNITED KINGDOM:TWA 10 mg/m3 (total dust) JAN 1993 OEL-UNITED KINGDOM:TWA 5 mg/m3 (resp. dust) JAN 1993 OEL IN BULGARIA, COLOMBIA, JORDAN, KOREA check ACGIH TLV OEL IN NEW ZEALAND, SINGAPORE, VIETNAM check ACGIH TLV *** NIOSH STANDARDS DEVELOPMENT AND SURVEILLANCE DATA *** NIOSH RECOMMENDED EXPOSURE LEVEL (REL) : NIOSH REL TO SILICON, respirable fraction-air:10H TWA 5 mg/m3 REFERENCE : NIOSH* National Institute for Occupational Safety and Health, U.S. Dept. of Health, Education, and Welfare, Reports and Memoranda. Volume(issue)/page/year: DHHS #92-100,1992 NIOSH RECOMMENDED EXPOSURE LEVEL (REL) : NIOSH REL TO SILICON, total dust-air:10H TWA 10 mg/m3 REFERENCE : NIOSH* National Institute for Occupational Safety and Health, U.S. Dept. of Health, Education, and Welfare, Reports and Memoranda. Volume(issue)/page/year: DHHS #92-100,1992 NIOSH OCCUPATIONAL EXPOSURE SURVEY DATA : NOHS - National Occupational Hazard Survey (1974) NOHS Hazard Code - 68695 No. of Facilities: 3856 (estimated) No. of Industries: 48 No. of Occupations: 66 No. of Employees: 99138 (estimated) NOES - National Occupational Exposure Survey (1983) NOES Hazard Code - X4229 No. of Facilities: 12 (estimated) No. of Industries: 1 No. of Occupations: 5 No. of Employees: 1740 (estimated) No. of Female Employees: 503 (estimated) NOES - National Occupational Exposure Survey (1983) NOES Hazard Code - X4230 No. of Facilities: 118 (estimated) No. of Industries: 6 No. of Occupations: 6 No. of Employees: 1962 (estimated) No. of Female Employees: 112 (estimated) NOES - National Occupational Exposure Survey (1983) NOES Hazard Code - X6495 No. of Facilities: 19 (estimated) No. of Industries: 1 No. of Occupations: 2 No. of Employees: 2379 (estimated) NOES - National Occupational Exposure Survey (1983) NOES Hazard Code - 68695 No. of Facilities: 59062 (estimated) No. of Industries: 296 No. of Occupations: 129 No. of Employees: 693583 (estimated) No. of Female Employees: 28164 (estimated)

安全

• 符号: GHS02
• 信号词: Warning
• 危害声明: H228
• 警示性声明: P210
• 个人防护装备: Eyeshields;Gloves;type N95 (US);type P1 (EN143) respirator filter
• 危害码 (欧洲): F:Flammable
• 风险声明 (欧洲): R11
• 安全声明 (欧洲): S16-S33-S7/9
• 危险品运输编码: UN 2922 8/PG 2
• WGK德国: 2
• RTECS号: VW0400000
• 包装等级: III
• 危险类别: 4.1
• 海关编码: 2804690000

合成路线

上下游产品

上游产品  10
10025-78-2 7440-21-3 7783-61-1 10026-04-7
112926-00-8 7439-95-4 871-92-1 4109-96-0
7783-26-8 694-53-1
下游产品  10
107-50-6 541-05-9 556-67-2 541-02-6
540-97-6 109111-29-7 4072-00-8 10581-00-7
7789-66-4 4766-57-8

制备

1.三氯氢硅法：将干燥的硅粉加入合成炉中，与通入的干燥氯化氢气体在280～330℃有氯化亚铜催化剂存在下进行氯化反应，反应气体经旋风分离除去杂质，再用氯化钙冷冻盐水将气态三氯氢硅冷凝成液体，经粗馏塔蒸馏和冷凝，除去高沸物和低沸物，再经精馏塔蒸馏和冷凝，得到精制三氯氢硅液体。纯度达到7个“9”以上、杂质含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提纯后的三氯氢硅送入不锈钢制的还原炉内，用超纯氢气作还原剂，在1050～1100℃还原成硅，并以硅芯棒为载体，沉积而得多晶硅成品。其反应式如下：

图XIV-6 硅的制取装置

2.用SiO2含量大约为95％的硅石和灰分少的焦炭混合，加热到1900℃左右进行还原。此方法制得的硅纯度为97%～98%，被称作金属硅。再将金属硅融化后进行重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7%～99.8%的金属硅。如要将它做成半导体用硅，还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式，再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅，则需要进行进一步的提纯处理。

3.用ＳｉＯ２含量大约为95%的硅石和灰分少的焦炭混合，用1000～3000ｋＶＡ开式电弧炉，加热到1900℃左右进行还原。

海关

海关编码	2804690000